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  • China meldet sich zurück: UNIS präsentiert die schnellste Gen5-SSD der Welt

    China meldet sich zurück: UNIS präsentiert die schnellste Gen5-SSD der Welt

    „Warum 14,9 GB/s manchmal mehr Schein als Sein ist – und trotzdem ein Fingerzeig auf die Zukunft.“

    Es war eigentlich nur eine Frage der Zeit. Während sich westliche Hersteller wie Samsung, Western Digital oder Micron gegenseitig die Performance-Krone für Gen5-SSDs zuschieben, kommt nun ein chinesischer Hersteller aus der zweiten Reihe daher und behauptet: „Wir sind die Schnellsten.“ Die Firma UNIS (United Information Systems), bisher vor allem in China ein Begriff, hat zwei neue PCIe Gen5 SSDs vorgestellt – die S5 und die S5 Ultra – und beansprucht damit ganz unbescheiden die Spitze der sequentiellen Lesegeschwindigkeit: bis zu 14,9 GB/s.

    Klingt beeindruckend. Ist es auch. Aber wie so oft im Halbleiter-Zirkus steckt der Teufel im Detail. Und genau da lohnt sich ein genauerer Blick.


    Das Rennen um die Lesekrone: Wer misst, misst Mist?

    Fangen wir mit den nackten Zahlen an. Laut UNIS erreicht das Basismodell S5 eine maximale sequenzielle Lesegeschwindigkeit von 14,9 GB/s und eine Schreibgeschwindigkeit von 12,9 GB/s. Das Premium-Modell, die S5 Ultra, liest mit „nur“ 14,2 GB/s, schreibt dafür aber schneller: 13,4 GB/s.

    Im Vergleich dazu liefern Samsungs 990 PRO Gen5 oder Crucials T705 derzeit rund 14,5–14,8 GB/s lesend – zumindest in synthetischen Benchmarks unter Idealbedingungen mit spezieller Kühlung. Was UNIS also tut, ist: die Benchmark-Spitze mit einem Zehntel Gigabyte überbieten und das als Weltsensation verkaufen.

    HDD UNIS S5 Benchmark

    Das kennen wir. Das ist Marketing.

    Aber hey – trotzdem beeindruckend. Denn auch wenn es sich hier vielleicht nur um eine Momentaufnahme unter Laborbedingungen handelt, zeigt es doch: China kann nicht nur mithalten, sondern zunehmend selbst Akzente setzen.


    Ohne DRAM, aber nicht ohne Ehrgeiz

    Technologisch sind beide SSDs unterschiedlich aufgestellt. Das S5 verzichtet auf einen DRAM-Cache – ein sogenanntes DRAM-loses Design, das vor allem bei Budget-SSDs gängig ist. Hier kommen stattdessen Algorithmen wie Host Memory Buffer (HMB) zum Einsatz, die einen Teil des Arbeitsspeichers des Systems für Zwischenspeicherung nutzen. Klingt clever, hat aber Grenzen – vor allem bei längeren, zufälligen Zugriffen und vielen kleinen Dateien.

    Schnellste SSD der Welt 2025

    Die S5 Ultra hingegen bringt echten DRAM mit und setzt auf einen weiterentwickelten 6-nm-Controller, bei dem es sich sehr wahrscheinlich um den Silicon Motion SM2508 handelt – bekannt aus Microns neuen 4600er Gen5-SSDs. Das wäre bemerkenswert, denn dieser Controller gehört zu den effizientesten am Markt und ermöglicht hohe Bandbreiten ohne gigantische Kühllösungen oder übermäßige Stromaufnahme.

    UNIS bleibt bei der Controller-Frage zwar vage, aber man muss kein Ingenieur sein, um zu erkennen: Hier steckt ein echtes High-End-Design unter der Haube.

    Technische Highlights der UNIS S5

    • Schnittstelle: M.2 2280, PCIe 5.0 x4 (NVMe)
    • Sequentielle Leistung:
      • Lesen: bis 14,9 GB/s
      • Schreiben: bis 12,9 GB/s
    • Random-IOPS:
      • Lesen bis 1,8 Millionen IOPS
      • Schreiben bis 1,7 Millionen IOPS
    • Design: DRAM‑los mit HMB‑Cache, passiver Graphen‑Kühlkörper (1 mm dick)
    • Kapazitäten: 1 TB, 2 TB & 4 TB, Preis noch unbekannt; für den westlichen Markt voraussichtlich via Plattformen wie AliExpress

    S5 vs. S5 Ultra

    UNIS bietet auch eine S5 Ultra-Variante:

    • Kommt mit echtem DRAM-Cache und 6 nm‑Controller (mutmaßlich Silicon Motion SM2508)
    • Etwas geringere sequenzielle Leistung (bis 14,2 GB/s Lesen & 13,4 GB/s Schreiben)
    • Bessere und stabilere Performance bei alltäglichen Anwendungen
    ModellSpitzenleistungDRAMGeeignet für
    UNIS S514,9 GB/s Read / 12,9 GB/s WriteExtreme sequenzielle Leistung, budgetfreundlicher Einstieg
    UNIS S5 Ultra14,2 GB/s Read / 13,4 GB/s WriteBessere Stabilität & Real‑World Leistung dank DRAM

    Kühl bleiben bei 14,9 GB/s? Gute Frage…

    Beide SSDs verwenden einen passiven Graphen-Kühlkörper, 1 mm dick, der auf dem NAND und dem Controller sitzt. Die Wahl ist strategisch: Viele moderne Motherboards kommen inzwischen mit integrierter M.2-Kühlung, weshalb Hersteller auf wuchtige Heatsinks verzichten – oder sie modular anbieten.

    Allerdings: Wer schon mal versucht hat, eine Gen5-SSD bei Volllast ohne aktive Kühlung zu betreiben, weiß – das wird schnell heiß. Sehr heiß. Und das nicht nur im Sommer. Thermal Throttling ist real, und Graphen ist zwar ein PR-taugliches Buzzword, aber keine Wunderwaffe gegen 10-Watt-Controller und 4-Kanal-NAND-Zugriffe.

    Man darf also gespannt sein, wie sich diese SSDs unter Dauerlast und in realen Anwendungen schlagen. Cinebench starten und einen Screenshot posten ist eine Sache – 200 GB Daten kopieren und hoffen, dass die Schreibrate nicht auf SATA2 absackt, eine andere.


    Der Elefant im Raum: Herkunft und Vertrauen

    UNIS ist kein Newcomer, aber auch kein Household-Name im Westen. Das Unternehmen ist ein Spin-off aus dem staatlich geförderten Tsinghua-Ökosystem – genau, jene Tech-DNA, aus der auch Zhaoxin und Yangtze Memory stammen. In China kein unbeschriebenes Blatt, aber international bislang unter dem Radar.

    Das wird sich ändern. Spätestens seit US-Sanktionen gegen chinesische Halbleiterhersteller nimmt China Kurs auf technologische Autarkie – und SSDs sind ein strategisches Produkt. Wer Rechenzentren bauen will, braucht Speichermedien. Wer moderne KI trainieren will, ebenso. UNIS könnte also Teil einer größeren Agenda sein, und die jetzige PR-Offensive ist möglicherweise erst der Anfang.

    Aber: Im Westen werden viele potenzielle Käufer bei „Made in China“ skeptisch. Sicherheitsbedenken, fehlende Firmware-Transparenz und die Sorge vor „Hidden Backdoors“ sind nicht aus der Luft gegriffen. Wer bei Huawei nervös wird, wird auch bei einer chinesischen SSD mit Firmware-Update-Potenzial nicht automatisch entspannt schlafen.


    Ein Produkt für Enthusiasten – oder ein Warnschuss für die Konkurrenz?

    Aktuell sind die SSDs nur in China erhältlich. Preise? Noch unbekannt. Internationale Verfügbarkeit? Wahrscheinlich, aber nicht bestätigt. Vermutlich wird der erste Schwung über graue Importkanäle den Weg zu Tech-Enthusiasten finden, die bereit sind, für 14,9 GB/s ein gewisses Risiko einzugehen – oder einfach nur neugierig sind, ob „die da drüben“ wirklich mithalten können.

    Aber die größere Geschichte ist nicht das Produkt selbst – es ist das, was es symbolisiert: Die Zeit, in der China nur kopierte, ist vorbei. Jetzt wird mitentwickelt – und in manchen Bereichen auch überholt.

    Das sehen auch Samsung und Co. Sie müssen nun zeigen, dass sie nicht nur liefern, sondern auch innovativ bleiben können. Der nächste Schritt wird vielleicht nicht mehr heißen: „Wir sind schneller“, sondern „wir sind sicherer, effizienter, nachhaltiger.“


    14,9 GB/s, 1 mm Graphen-Kühlkörper

    UNIS hat mit seinen neuen Gen5-SSDs zweifellos einen PR-Coup gelandet. Ob die Geräte in der Praxis halten, was sie versprechen, bleibt abzuwarten. Es ist ein Stück weit das übliche Spiel: Eine neue SSD wird vorgestellt, die Zahlen klingen absurd gut, erste synthetische Benchmarks bestätigen das. Und dann kommen die Reviews – mit ernüchternden Details.

    Aber selbst wenn sich 14,9 GB/s als das SSD-Äquivalent von „Marketing-Turbo“ entpuppen – die Richtung ist klar: China ist technisch konkurrenzfähig. Und zwar nicht nur bei Massenspeicher, sondern bald auch bei Mainboards, Grafikkarten, CPUs. Alles mit eigener Fertigung, eigenen Chips, eigener Architektur.

    Für Entwickler und Techies heißt das: Die Karten werden neu gemischt. Für Konsumenten: Mehr Auswahl, aber auch mehr Komplexität bei der Entscheidung. Und für die Industrie? Eine Erinnerung daran, dass Technologie längst nicht mehr nur im Silicon Valley gemacht wird – sondern auch in Shenzhen, Wuhan und Peking.

    Wichtig zu wissen

    • „Schneller“ ist relativ: Die UNIS S5 ist extrem schnell bei linearen (sequentiellen) Zugriffen, etwa beim Kopieren großer Dateien.
    • In realer Nutzung (Gaming, Windows-Boot, App-Start) zählen eher Zugriffszeiten, IOPS und Latenz. Hier sind viele SSDs mit DRAM besser, auch wenn die sequenzielle Leistung etwas niedriger ist.
    • DRAM vs. DRAM‑los:
      • DRAM‑SSDs (z. B. Samsung, Crucial T705) bieten bessere Stabilität bei zufälligen Zugriffen & Multitasking.
      • DRAM‑lose SSDs wie die UNIS S5 können bei langen Schreibvorgängen drosseln.

    Für Alltagsnutzer bringt ein Wechsel von 7 GB/s (PCIe 4.0) auf 14 GB/s (PCIe 5.0) kaum spürbare Vorteile, außer bei Spezialanwendungen (4K-Video, große Datenmengen).

    Aber rein sequenziell ist die UNIS S5 aktuell das absolute Topmodell für den Endkundenmarkt.

  • DDRAMDisk mit 15 GiByte/s: DDR4-RAM als NVMe-SSD

    DDRAMDisk mit 15 GiByte/s: DDR4-RAM als NVMe-SSD

    Die Speichertechnologie ist in den letzten Jahren unglaublich schnell vorangeschritten. Immer mehr Nutzer suchen nach Wegen, um die Leistung ihrer Computer zu verbessern. Einer der neuesten Trends in der Welt der Computertechnologie ist der Einsatz von DDRAM-Festplatten. Diese revolutionäre Technologie basiert auf handelsüblichen DDR3- oder DDR4-Speicherriegeln und bietet eine unglaubliche Leistungssteigerung im Vergleich zu herkömmlichen NVME-SSDs.

    Die DDRAMDisk v3.0 ist die neueste Generation dieser Technologie und hat schon jetzt diverse Geschwindigkeitsrekorde aufgestellt. Sie erreicht beim sequenziellen Lesen und Schreiben rund 15 GiByte pro Sekunde und bis zu 3,8 GiByte pro Sekunde bei wahlfreien Zugriffen mit 4 KiByte großen Blöcken und einer Queue-Tiefe von 32. Das ist deutlich schneller als herkömmliche PCIe-SSDs. Aber wie funktioniert das eigentlich?

    Die DDRAMDisk wird über PCIe 4.0 x8 mittels des NVMe-Protokolls als SSD an das Computersystem angebunden und als gewöhnliche NVMe-SSD erkannt. Um den DDR4-Speicher über PCIe 4.0 und das NVMe-Protokoll anzubinden, bedarf es jedoch eines kleinen Tricks. Da das NVMe-Interface ausschließlich mit Flash-Speicher kommunizieren kann, emulieren insgesamt vier FPGA-Mikroprozessoren aus der Produktreihe AMD Xilinx Spartan die RAM-Schnittstelle als Flash-Speicher. Das ermöglicht eine schnelle Datenübertragung, ohne dass zusätzlicher Flash-Speicher benötigt wird.

    Die DDRAMDisk v3.0 ist auf einer speziell dafür entwickelten Platine (PCB) untergebracht, auf der zwei Speichercontroller von Silicon Motion sitzen. Über diese Platine können insgesamt 18 DIMMs vom Typ DDR4 angeschlossen werden. Doch es gibt auch einen Nachteil: Ohne Spannungsversorgung gehen die Daten verloren, da RAM-Speicher flüchtig ist. Aber keine Sorge, dank einer optionalen Batterie oder einer Akkuzelle können kurzfristige Ausfälle überbrückt und Datenverlust vermieden werden.

    https://www.youtube.com/watch?v=caUzFaLgoeA&t=2s

    Während die Preise für die DDRAMDisk v2.0 mit DDR3 im Abverkauf bei aktuell 280 US-Dollar für das Modell mit 256 GiByte DDR3 bis 2.130 US-Dollar für die Variante mit 2 TiByte DDR3 liegen, dürfte die DDRAMDisk v3.0 noch einmal deutlich teurer werden. Aber für all diejenigen, die ihre Computerleistung auf ein neues Niveau heben möchten, ist es möglicherweise eine lohnende Investition.

    Wenn du auch zu den Hardware-Enthusiasten gehörst, die immer nach Wegen suchen, um ihre Arbeit zu optimieren und ihre Leistung zu steigern, dann könnte die DDRAMDisk v3.0 die Lösung sein, nach der du gesucht hast. Mit ihrer unglaublichen Geschwindigkeit und Leistungsfähigkeit könnte sie deine Produktivität auf ein ganz neues Level heben. Also warum nicht mal einen Blick darauf werfen und schauen, ob es etwas ist, das zu deinem Arbeitsstil passt?